芯片的出光面是什么晶面？側(cè)邊是什么晶面？
做過LED或者LD芯片的童鞋應(yīng)該會了解到外延基板晶向問題。比如在激光芯片中，常使用（110）晶面作為解離面，解離面比較光滑，具有較高的反射率，因此即便是不鍍減反膜和高反 膜芯片端面也有大概30％的反射率。
開始先提出兩個問題：
1）一般砷化鎵外延是在（100）晶面基板上生長起來的。芯片Die的解離面是（110），基板大定位邊所在面是（0，－1，－1），小平邊是次參考面（0，－1，1）。如下圖根據(jù)基板，確定die解離劃裂線方向，和die的六個面所處的晶面。
下圖芯片的出光面是什么晶面？側(cè)邊是什么晶面？分別和上表面成多少度角？
2）晶面為什么要偏轉(zhuǎn)15°？
回答以上問題，需要回顧一下，砷化鎵的晶格結(jié)構(gòu)，是屬于固體物理的知識。
砷化鎵晶格結(jié)構(gòu)
上圖是砷化鎵的晶格結(jié)構(gòu)
砷化鎵晶格是由兩個面心立方（fcc）的子晶格（格點上分別是砷和鎵的兩個子晶格）沿空間體對角線位移1／4套構(gòu)而成。這種晶體結(jié)構(gòu)在物理學(xué)上稱之為閃鋅礦結(jié)構(gòu)。
溫習(xí)一下晶格晶向的知識點
因此晶向［u v w］是一個射線，起點是原點，過uvw坐標(biāo)的一個點連接而成。
＜uvw＞尖括號是晶向族，包括多種組合。
如上圖 （221）晶面垂直于【221】晶向
如上圖是（100）晶面的砷化鎵基板，第一幅是從正面俯視，如果要切割出｛110｝面的解離面，該如何下刀呢？
思考一下，下期再詳寫
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