僅次于光刻！我國突破氫離子注入核心技術(shù) 100％國產(chǎn)
快科技9月11日消息，據(jù)國家電力投資集團官方消息，近日，集團所屬國電投核力創(chuàng)芯（無錫）科技有限公司核力創(chuàng)芯暨國家原子能機構(gòu)核技術(shù)（功率芯片質(zhì)子輻照）研發(fā)中心，完成了首批氫離子注入性能優(yōu)化芯片產(chǎn)品客戶交付。
這標志著，我國已全面掌握功率半導體高能氫離子注入核心技術(shù)和工藝，補全了我國半導體產(chǎn)業(yè)鏈中缺失的重要一環(huán)，為半導體離子注入設(shè)備和工藝的全面國產(chǎn)替代奠定了基礎(chǔ)。
工程師進行晶圓離子注入生產(chǎn)
氫離子注入是半導體晶圓制造中僅次于光刻的重要環(huán)節(jié)，在集成電路、功率半導體、第三代半導體等多種類型半導體產(chǎn)品制造過程中起著關(guān)鍵作用。
這一領(lǐng)域核心技術(shù)、裝備工藝的缺失，嚴重制約了我國半導體產(chǎn)業(yè)的高端化發(fā)展，特別是600V以上高壓功率芯片長期依賴進口。
核力創(chuàng)芯在遭遇外國關(guān)鍵技術(shù)、裝備封鎖的不利條件下，在不到3年的時間里，突破了多項關(guān)鍵技術(shù)壁壘，實現(xiàn)了100%自主技術(shù)、100%裝備國產(chǎn)化，建成了我國首個核技術(shù)應(yīng)用和半導體領(lǐng)域交叉學科研發(fā)平臺。
首批交付的芯片產(chǎn)品經(jīng)歷了累計近1萬小時的工藝、可靠性測試驗證，主要技術(shù)指標達到國際先進水平，獲得用戶高度評價。
作者：上方文Q，來源：快科技
原文標題 : 僅次于光刻！我國突破氫離子注入核心技術(shù) 100％國產(chǎn)
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